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  详细介绍

 

  绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。

1.特点:

     低电感高可靠封装

     高绝缘耐压

     干法焊接工艺

     防内凹的结构

2.典型应用领域

直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

3.主要额定值及特性参数

 

A、模块的额定值及特性参数

型号

VCES

ICTc=25℃)

ICRM

VGES

VCE(sat)IC=60A,VGE=15V)

VGE(th)IC=60mA,VGE=VCE)

RthJC

Rth(c-h)

V

A

A

V

V

V

K/W

K/W

MGC60

1000

60

120

±25

1.95

5.5

0.4

0.05

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